CHANG T ， JO S H ， LU W ， 2011 . Short-term memory to long-term memory transition in a nanoscale memristor ［J］. ACS Nano ， 5 （ 9 ）： 7669 - 7676 .

CHEN Y ， YU H ， GONG J ， et al ， 2018 . Artificial synapses based on nanomaterials ［J］. Nanotechnology ， 30 （ 1 ）： 012001 .

CHEN Y ， ZHANG M ， LI D ， et al ， 2023 . Bidirectional synaptic phototransistor based on two-dimensional ferroelectric semiconductor for mixed color pattern recognition ［J］. ACS Nano ， 17 （ 13 ）： 12499 - 12509 .

CUI C ， HU W J ， YAN X ， et al ， 2018 . Intercorrelated in-plane and out-of-plane ferroelectricity in ultrathin two-dimensional layered semiconductor In 2 Se 3 ［J］. Nano Lett ， 18 （ 2 ）： 1253 - 1258 .

DING W ， ZHU J ， WANG Z ， et al ， 2017 . Prediction of intrinsic two-dimensional ferroelectrics in In 2 Se 3 and other III2-VI3 Van Der Waals materials ［J］. Nat Commun ， 8 （ 1 ）： 14956 .

HUANG Y ， PAN Y H ， YANG R ， et al ， 2020 . Universal mechanical exfoliation of large-area 2D crystals ［J］. Nat Commun ， 11 （ 1 ）： 2453 .

JEON Y R ， KIM D ， BISWAS C ， et al ， 2025 . Enhanced synaptic memory window and linearity in planar In 2 Se 3 ferroelectric junctions ［J］. Adv Mater ， 37 （ 6 ）： 2413178 .

JUNQUERA J ， GHOSEZ P ， 2003 . Critical thickness for ferroelectricity in perovskite ultrathin films ［J］. Nature ， 422 （ 6931 ）： 506 - 509 .

SETTER N ， DAMJANOVIC D ， ENG L ， et al ， 2006 . Ferroelectric thin films： Review of materials， properties， and applications ［J］. J Appl Phys ， 100 （ 5 ）： 051606 .

SI M ， SAHA A K ， GAO S ， et al ， 2019 . A ferroelectric semiconductor field-effect transistor ［J］. Nat Electron ， 2 （ 12 ）： 580 - 586 .

URAKAMI N ， OZAKI S ， HASHIMOTO Y ， 2024 . Bulk photovoltaic effect of an alpha-phase indium selenide （α-In 2 Se 3 ） crystal along the out-of-plane direction ［J］. Appl Phys Lett ， 125 （ 7 ）： 073102 .

WAN S ， LI Y ， LI W ， et al ， 2019 . Nonvolatile ferroelectric memory effect in ultrathin α-In 2 Se 3 ［J］. Adv Funct Mater ， 29 （ 20 ）： 1808606 .

WANG S ， LIU L ， GAN L ， et al ， 2021 . Two-dimensional ferroelectric channel transistors integrating ultra-fast memory and neural computing ［J］. Nat Commun ， 12 （ 1 ）： 53 .

WANG S ， LIU X ， ZHOU P ， 2022 . The road for 2D semiconductors in the silicon age ［J］. Adv Mater ， 34 （ 48 ）： 2106886 .

WANG Y ， ZHA Y ， BAO C ， et al ， 2024 . Monolithic 2D perovskites enabled artificial photonic synapses for neuromorphic vision sensors ［J］. Adv Mater ， 36 （ 18 ）： 2311524 .

WANG Z ， JOSHI S ， SAVEL’E V S E ， et al ， 2017 . Memristors with diffusive dynamics as synaptic emulators for neuromorphic computing ［J］. Nat Mater ， 16 （ 1 ）： 101 - 108 .

XUE F ， HE X ， RETAMAL J R D ， et al ， 2019 . Gate-tunable and multidirection-switchable memristive phenomena in a Van Der Waals ferroelectric ［J］. Adv Mater ， 31 （ 29 ）： 1901300 .

YIN L ， CHENG R ， DING J ， et al ， 2024 . Two-dimensional semiconductors and transistors for future integrated circuits ［J］. ACS Nano ， 18 （ 11 ）： 7739 - 7768 .

YUAN F ， ZHANG Z ， LIU C ， et al ， 2017 . Real-time observation of the electrode-size-dependent evolution dynamics of the conducting filaments in a SiO 2 layer ［J］. ACS Nano ， 11 （ 4 ）： 4097 - 4104 .

ZHANG Y ， MAO G Q ， ZHAO X ， et al ， 2021 . Evolution of the conductive filament system in HfO 2 -based memristors observed by direct atomic-scale imaging ［J］. Nat Commun ， 12 （ 1 ）： 7232 .