Было подготовлено двумерное ферроэлектрическое материал α-In₂Se₃ методом механического отслаивания, проведён анализ структурных характеристик образцов с помощью атомно-силового микроскопа и изготовлен ферроэлектрический транзистор с истоком на основе α-In₂Se₃ с использованием электронно-лучевой литографии. Исследование показало, что применение положительных и отрицательных импульсов к верхнему затвору эффективно возбуждает внеплоскостную поляризацию α-In₂Se₃, демонстрируя коротковременную пластичность усиления и подавления. С накоплением импульсов напряжения затвора внеплоскостная поляризация α-In₂Se₃ усиливает ферроэлектризацию канала, что приводит к увеличению синаптического тока, способствуя переходу от кратковременной пластичности к долговременной. Кроме того, амплитуда возбуждающего сигнала регулирует долговременное усиление, демонстрируя возможность применения устройства для сложного синаптического обучения.

Метод механического отслаивания;Двумерный ферроэлектрик α-In₂Se₃;Внеплоскостная поляризация;Ферроэлектрический транзистор с каналом;Синаптический транзистор