Préparation du matériau ferroélectrique bidimensionnel α-In₂Se₃ par la méthode d'exfoliation mécanique, analyse des caractéristiques structurelles de l'échantillon par microscopie à force atomique, et fabrication d'un transistor à effet de champ à canal ferroélectrique utilisant α-In₂Se₃ comme canal via la lithographie par faisceau d'électrons. L'étude révèle que l'application d'impulsions positives et négatives sur l'électrode de grille supérieure peut stimuler efficacement la polarisation hors plan de α-In₂Se₃, démontrant une plasticité à court terme d'amplification et d'inhibition. Avec l'accumulation des impulsions de tension de la grille, la polarisation hors plan de α-In₂Se₃ renforce la polarisation ferroélectrique du canal, augmentant ainsi le courant synaptique correspondant, réalisant la transition de la plasticité à court terme à long terme. De plus, différents signaux d'excitation avec des amplitudes variées peuvent ajuster l'amélioration à long terme, montrant la faisabilité de l'application de l'appareil aux comportements d'apprentissage synaptique complexes.

Méthode d'exfoliation mécanique;Matériau ferroélectrique bidimensionnel α-In₂Se₃;Polarisation hors plan;Transistor à effet de champ à canal ferroélectrique;Transistor synaptique