Se preparó el material ferroeléctrico bidimensional α-In₂Se₃ mediante el método de exfoliación mecánica, se analizaron las características estructurales de la muestra mediante microscopía de fuerza atómica, y se fabricó un transistor de efecto campo con canal ferroeléctrico utilizando α-In₂Se₃ como canal mediante litografía por haz de electrones. La investigación reveló que aplicar pulsos positivos y negativos en el electrodo de puerta superior puede excitar eficazmente la polarización fuera del plano de α-In₂Se₃, mostrando una plasticidad a corto plazo de potenciación y supresión. Además, con la acumulación de pulsos de voltaje de puerta, la polarización fuera del plano de α-In₂Se₃ fortalece la polarización ferroeléctrica del canal, aumentando la corriente sináptica correspondiente y logrando la transición de la plasticidad a corto plazo a largo plazo. Además, señales de excitación con diferentes amplitudes pueden ajustar las características de potenciación a largo plazo, demostrando la viabilidad de usar el dispositivo en comportamientos complejos de aprendizaje sináptico.

Método de exfoliación mecánica;Material ferroeléctrico bidimensional α-In₂Se₃;Polarización fuera del plano;Transistor de efecto campo con canal ferroeléctrico;Transistor sináptico