椭偏光谱法研究离子注入Si损伤分布——多层模型的最优化方法

何星飞; 莫党

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椭偏光谱法研究离子注入Si损伤分布——多层模型的最优化方法

论文 | 更新时间：2023-12-11

- 椭偏光谱法研究离子注入Si损伤分布——多层模型的最优化方法
- Studies of Damage Profile in Ion Implanted Si by Spectroscopic Ellipsometry:An Optimization Method of Multilayer Model
- 中山大学学报(自然科学版)(中英文) 1986年25卷第3期页码：84-91
- 作者机构：
  
  中山大学微电子研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1986，
  
  网络出版日期：1986-5-25，
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何星飞, 莫党. 椭偏光谱法研究离子注入Si损伤分布——多层模型的最优化方法[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 1986,25(3):84-91.

Studies of Damage Profile in Ion Implanted Si by Spectroscopic Ellipsometry:An Optimization Method of Multilayer Model[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 1986,25(3):84-91.
何星飞, 莫党. 椭偏光谱法研究离子注入Si损伤分布——多层模型的最优化方法[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 1986,25(3):84-91. DOI：

Studies of Damage Profile in Ion Implanted Si by Spectroscopic Ellipsometry:An Optimization Method of Multilayer Model[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 1986,25(3):84-91. DOI：

摘要

应用多层模型和最优化方法

由实验测得的离子注入Si 的椭偏光谱

以及c-Si 和离子注入α-Si 的光学常数

不用剥层测量

能分析离子注入Si 的损伤分布.本文讨论了多层模型计算原理和椭偏光谱法的灵敏度

模拟分析了Levenberg-Marquardt 最优化方法的数学过程、模型误差与计算误差、实验误差(随机误差和系统误差)以及Si 表面自然氧化层对最优化数学过程的影响.

Abstract

By means of optimization with a multilayer model

the damage profile ofion implanted Si can be obtained from a number of independent data measuredby spectroscopic ellipsometry as well as optical constants of crystalline and ionimplanted amorphous state of Si.We discussed the calculation principle of multi-layer models and

using a simulated test

analysed the mathematical procedure ofLevenberg-Marquardt optimization method with special attention to the influenceof model errors

calculating errors

rando merrors

systematic errors and nativeoxide layer on the surface of Si

关键词

&nbsp多层模型层数损伤度椭偏光谱法损伤分布离子注入离子掺杂最优化方法运筹学方法Si

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