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2001
年
第
40
卷
S3
期
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封面故事
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论文
与位错和点缺陷交互作用有关的非线性滞弹性内耗的研究
方前锋,葛庭燧
2001, 40(S3): 203-207.
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晶界内耗峰在高温形变中的变化
孔庆平,蔡彬,GOTTSTEIN,G
2001, 40(S3): 208-210.
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与材料中的微裂纹有关的内耗和模量亏损
方前锋
2001, 40(S3): 211-213.
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含宏观石墨颗粒材料界面位错形态及内耗特征的研究
魏健宁,韩福生,高俊昌
2001, 40(S3): 214-216.
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宏观体缺陷对材料阻尼行为的影响
韩福生,马中华,魏健宁,高俊昌
2001, 40(S3): 217-219.
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一些固体在1~500Hz频率范围的共振吸收峰
熊小敏,龚康,张万辉,张进修,黄元士
2001, 40(S3): 220-222.
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热处理对6061Al/SiC_p复合材料中内耗峰及阻尼的影响
张迎元,乐永康
2001, 40(S3): 223.
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相变及相关过程的内耗
徐祖耀
2001, 40(S3): 224-231.
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用低频内耗研究Cu-Al-Be合金的相变过程
宋振纶,朱劲松,钱煌声,王业宁
2001, 40(S3): 232-234.
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Ni47Ti43Hf10高温形状记忆合金的相变内耗
张志方,梁学磊,沈惠敏,宋振纶,陈颖,杨震,王小敏,王业宁
2001, 40(S3): 235-237.
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NiTi单晶的超声衰减研究
梁学磊,沈惠敏,王业宁,REN,X,OTSUKA,K,SUZUKI,T
2001, 40(S3): 238-239.
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La1-xSrxCoO3-δ体系的低频内耗与电输运性质研究
刘卫,张益勋,邓增强,江国顺,丁锦文,陈初升
2001, 40(S3): 240-241.
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氧离子导体La_2Mo_2O_9中与相变有关的内耗
王先平,方前锋,水嘉鹏
2001, 40(S3): 242-244.
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巨磁电阻材料La_xMnO_3的内耗研究
郑丽秋,方前锋
2001, 40(S3): 245-247.
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氧离子导体La_2Mo_2O_9中与氧离子扩散有关的弛豫内耗
王先平,方前锋,王灿
2001, 40(S3): 248-250.
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La0.7Pb0.3MnO3材料的低频内耗与电磁输运性能
李合琴,方前锋,朱震刚,尹文红
2001, 40(S3): 251-252.
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PZT铁电陶瓷的低频内耗研究
王灿,石云,方前锋,朱震刚
2001, 40(S3): 253-254.
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纳米晶Al的内耗研究
蔡彬,孔庆平,崔平,丛洪涛,孙秀魁
2001, 40(S3): 255-256.
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低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应
陈吉,丛洪涛,卢柯,李广义
2001, 40(S3)
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纳米银的内耗和模量研究
王玉柱,吴希俊,黄家倍,崔平
2001, 40(S3): 261-262.
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玻璃化转变与结构弛豫
黄以能,汪成聚,王业宁,E.Riande
2001, 40(S3): 263-270.
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一些液体在低波数范围的共振吸收峰
熊小敏,林国淙,丁喜冬,张进修,黄元士
2001, 40(S3): 271-272.
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液态Pb-Sn合金的内耗研究
祖方遒,朱震刚,郭丽君,张博,水嘉鹏
2001, 40(S3): 273-275.
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金属材料固-液转变过程的低频内耗研究
陈刚,朱震刚
2001, 40(S3): 276-278.
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分子动力学模拟液态硅的扩散性质
刘长松,朱震刚
2001, 40(S3): 279-280.
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液态硅动力学性质的激活弛豫研究
朱震刚,刘长松
2001, 40(S3): 281-283.
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凝聚态物质的切变波共振吸收谱仪的工作原理
张进修,熊小敏,丁喜冬,林国淙,黄元士
2001, 40(S3): 284-288.
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共振吸收谱与驰豫谱所能提供的信息的比较
熊小敏,张进修
2001, 40(S3): 289-290.
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发布时间:2023-12-11
共振吸收谱仪测量系统的研制
丁喜冬,熊小敏,黄元士,林国淙,张进修
2001, 40(S3): 291-293.
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自由衰减法测量中的低频内耗与频率关系的理论研究
水嘉鹏,郑康
2001, 40(S3): 294-295.
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发布时间:2023-12-11
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