用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度

余秉才; 吴振辉

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用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度

论文 | 更新时间：2023-12-08

- 用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度
- The Measurement of Minority Carrier Generation Lifetime and Surface Generation Velocity of Si—SiO2 System Using C—V Method
- 中山大学学报(自然科学版)(中英文) 1981年20卷第1期页码：50-57
- 作者机构：
  
  中山大学物理学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1981，
  
  网络出版日期：1981-1-25，
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余秉才, 吴振辉. 用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 1981,20(1):50-57.

The Measurement of Minority Carrier Generation Lifetime and Surface Generation Velocity of Si—SiO2 System Using C—V Method[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 1981,20(1):50-57.
余秉才, 吴振辉. 用C—V法测量Si—SiO_2系统的产生寿命和表面产生速度[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 1981,20(1):50-57. DOI：

The Measurement of Minority Carrier Generation Lifetime and Surface Generation Velocity of Si—SiO2 System Using C—V Method[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 1981,20(1):50-57. DOI：

摘要

Abstract

The MOS device is drived by triangular—voltage sweep which is sufficient todrive the MOS device into the non—equilibrium mode of operation.The C-Vcharacteristic is the function of sweep rate.From the C—V characteristic weanalyse simultaneously minority carrier lifetion (?)_g and surface generation velocity SThe experiment is undertaken on two groups of MOS devices made by the sameoxidation process but the aluminum gates of these two groups of samples weremade by two different methods(the hot filament evaporation and the electronbeam evaporation)in high vacuum evaporation apparatus respectively.The experi-ment shows that the surface generation velocity Sg of the sample with the gateelectrode produced by electron beam evaporation is increased.

关键词

器件非平衡扫描电压SiO2&nbsp电荷数目少数载流子载流子(半导体)反型电荷静电计耗尽层准平衡热力学平衡栅压&nbsp准静态

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