射频溅射a—Si:H的光致发光光谱

林再民; 丁小宁; 彭少麒

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射频溅射a—Si:H的光致发光光谱

论文 | 更新时间：2023-12-11

- 射频溅射a—Si:H的光致发光光谱
- Photoluminescence Spectra of RF Sputtered a-Si:H
- 中山大学学报(自然科学版)(中英文) 1986年25卷第2期页码：117-119
- 作者机构：
  
  中山大学物理学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：1986，
  
  网络出版日期：1986-3-25，
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林再民, 丁小宁, 彭少麒. 射频溅射a—Si:H的光致发光光谱[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 1986,25(2):117-119.

Photoluminescence Spectra of RF Sputtered a-Si:H[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 1986,25(2):117-119.
林再民, 丁小宁, 彭少麒. 射频溅射a—Si:H的光致发光光谱[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 1986,25(2):117-119. DOI：

Photoluminescence Spectra of RF Sputtered a-Si:H[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 1986,25(2):117-119. DOI：

摘要

Abstract

The photoluminescence features of r.f.sputtered a-Si:H has been investiga-ted

with special emphasis on the influence of the substrate temperature andannealing.The results indicate that either suitable substrate temperature or an-nealing can improve the qualities of the amorphous silicon (a-Si:H) films.

关键词

缺陷态密度局域态衬底温度Si非晶硅峰值强度

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射频溅射a—Si:H的光致发光光谱

Photoluminescence Spectra of RF Sputtered a-Si:H

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