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PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性(英文)
更新时间：2023-12-11
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    • PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性(英文)

    • Characterization of As-deposited and Annealing SiN Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

    • 中山大学学报(自然科学版)(中英文)   2003年42卷第S1期 页码：75-77

    • 纸质出版日期：2003，

      网络出版日期：2003-12-25，

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  • 李艳, 励旭东, 许颖, 等. PECVD氮化硅薄膜的沉积和退火特性(英文)[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 2003,42(S1):75-77. DOI：

    LI Yan, LI Xu-dong, XU Ying, et al. Characterization of As-deposited and Annealing SiN Films Deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 2003,42(S1):75-77. DOI：

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