二极管p－n结杂质浓度分布模型改进

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二极管p－n结杂质浓度分布模型改进

研究论文 | 更新时间：2023-12-11

- 二极管p－n结杂质浓度分布模型改进
- An Improved Model for Analysis on ImpurityDistribution in Diode p-n Junction
- 中山大学学报(自然科学版)(中英文) 2008年47卷第3期页码：37-40
- 作者机构：
  
  中山大学物理科学与工程技术学院,广东,广州,510275
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版日期：2008，
  
  网络出版日期：2008-5-25，
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李潮锐, 刘小伟. 二极管p－n结杂质浓度分布模型改进[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 2008,47(3):37-40.

LI Chaorui, LIU Xiaowei. An Improved Model for Analysis on ImpurityDistribution in Diode p-n Junction[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 2008,47(3):37-40.
李潮锐, 刘小伟. 二极管p－n结杂质浓度分布模型改进[J]. 中山大学学报(自然科学版)(中英文), 2008,47(3):37-40. DOI：

LI Chaorui, LIU Xiaowei. An Improved Model for Analysis on ImpurityDistribution in Diode p-n Junction[J]. Acta Scientiarum Naturalium Universitatis SunYatseni, 2008,47(3):37-40. DOI：

中图分类号:

Key words:

p-n junction

impurity concentration

capacityvoltage method

Passion equation

p－n结杂质浓度Ｃ－Ｖ法泊松方程

p-n junctionimpurity concentrationcapacityvoltage methodPassion equation

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